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IPD12CN10N G /
IPD12CN10N G的规格信息
IPD12CN10N G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

封装/外壳:PG-TO252-3

安装风格:SMD/SMT

通道数量:1Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100V

Id-连续漏极电流:67A

Rds On-漏源导通电阻:12.4mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20V

最小工作温度:-55C

最大工作温度:+175C

配置:Single

Pd-功率耗散:125W

通道模式:Enhancement

高度:2.3mm

长度:6.5mm

系列:OptiMOS2

晶体管类型:1N-Channel

宽度:6.22mm

下降时间:8ns

上升时间:21ns

典型关闭延迟时间:32ns

典型接通延迟时间:17ns

Packing Type:TAPE & REEL

Moisture Level:1

RDS (on) max:12.4mΩ

IDpuls max:268.0A

VDS max:100.0V

ID max:67.0A

RthJC max:1.2 K/W

QG (typ @10V):49.0 nC

Package:DPAK (TO-252)

Operating Temperature min max:-55.0 °C 175.0 °C

Budgetary Price €€/1k:0.61

Ptot max:125.0W

Polarity:N

Mounting:SMT

Coss:489.0pF

Ciss:3250.0 pF

VGS(th) min max:2.0V 4.0V

VGS(th) (typ) min max:3.0 V 2.0 V 4.0 V

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商IPD12CN10N G
IPD12CN10N G的供应商,可免费索样
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深圳市安富世纪电子有限公司IPD12CN10N G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
18124040553
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深圳市芯幂科技有限公司IPD12CN10N G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18124047120
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深圳市天卓伟业电子有限公司IPD12CN10N G深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市坤融电子有限公司IPD12CN10N G航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
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深圳市芯泽盛世科技有限公司IPD12CN10N G龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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芯莱德电子(香港)有限公司IPD12CN10N G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
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集好芯城IPD12CN10N G深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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集好芯城IPD12CN10N G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
陈泽辉Email:sam@678ic.com询价
深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPD12CN10N G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779
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深圳市清腾科技有限公司IPD12CN10N G深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路156号上步工业区405栋3190755-83993052
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IPD12CN10N G的全球分销商及价格
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IPD12CN10N GInfineon Technologies AG1+:¥12.0101
10+:¥9.6901
100+:¥7.75
500+:¥6.76
1000+:¥6.31
2500+:¥5.79
5000+:¥5.74
10000+:¥5.5199
25000+:¥5.481+:¥13.92
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IPD12CN10N GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:¥12.0101
10+:¥9.6901
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IPD12CN10N GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:¥12.0101
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5000+:¥5.74
10000+:¥5.5199
25000+:¥5.481+:¥13.92
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